Researchers van onderzoekinstituut imec hebben een nieuw type transistor gedemonstreerd dat het mogelijk moet maken chips te bouwen op nodes van minder dan 2nm. De transistors worden forksheettransistors genoemd.
De forksheettransistors werden gedemonstreerd tijdens het Symposia on VLSI Technology and Circuits en zouden een geschikte kandidaat zijn voor sub-2nm-nodes. Een directe relatie van een nodenaam en de daadwerkelijke transistorafmetingen is er al lang niet meer: de forksheet-transistors hebben een gate-lengte van 22nm en metaalcontacten met een onderlinge afstand van 17nm.
Forksheettransistors lijken een goede opvolger voor zogeheten gate-all-around-, of gaa-transistors. De gaa-transistor is op zijn beurt een opvolger van de bekende finfet-transistor die momenteel wordt toegepast op de 5nm- en 7nm-nodes. De gaa-structuur vergroot het contactoppervlak van de gate, zodat hogere stuurstromen gebruikt kunnen worden en de 'leakage', het stroomverbruik als de transistor uit staat, gereduceerd wordt. Gaa-transistors zouden door Samsung op de 3nm-node ingezet worden, terwijl TSMC dan nog finfets zou blijven gebruiken.
De forksheet-transistors vergroten het contactoppervlak van de gate nog verder, waardoor met name de lekstromen nog verder gereduceerd zouden worden. De forksheets danken hun naam aan een trigate-structuur, waarbij een diëlektrum tussen de gatestructuren voor de benodigde elektrische isolatie zorgt waardoor onderlinge afstanden verkleind kunnen worden. De afmetingen van 'cell tracks', een maat voor het oppervlak van logica op een wafer, wordt gereduceerd van 5T naar 4,3T, terwijl de prestaties toenemen.
Op het VLSI 2021-symposium demonstreerden imec-onderzoekers de elektrische karakteristieken van de forksheettransistors, die vergelijkbaar presteerden als gaa-transistors met 22nm gatelengte. De 17nm gatelengte van de forksheettransistors levert 35 procent kleinere transistors, en dus dichtheid op een chip, op dan huidige finfet-transistors. De forksheettransistors zouden pas ruim na 2022 hun opwachting in massaproductie maken: eerst moeten gaa-transistors de finfet nog opvolgen.